Схема параллельного соединения биполярных транзисторов
РЖ Автоматика и радиоэлектроника
Кроме того, физически меньшие корпуса, которые производятся крупными партиями, как правило, намного дешевле, чем большие, но выпускаемые малыми сериями. Параллельное соединение должно начинаться с анализа топологии мощных и сигнальных цепей внутри модуля. Внутренняя компоновка кристаллов и выводов модуля может быть выполнена таким образом, чтобы обеспечить одинаковость и симметрию мощных цепей и соединений затворов параллельных чипов. Это должно быть реализовано при сохранении низкой распределенной индуктивности контура коммутации. В общем случае контактный массив сетки в преобразователях, выполненных на основе PCB, позволяет гибко оптимизировать компоновку. Топология модуля разделена на две симметричные половины.
Полупроводниковый ключ — один из самых важных элементов силовой электроники. На их базе строятся практически все бестрансформаторные преобразователи тока и напряжения, инверторы, частотные преобразователи. Применение электронных ключей позволяет упростить схему преобразователей, значительно уменьшить габариты устройств, улучшить технические характеристики. Первые силовые электронные устройства были выполнены на базе тиристоров и биполярных транзисторов. Первые при всех своих достоинствах не могут обеспечить необходимое быстродействие, управляемые тиристоры используют в среднечастотной области.
Интересует вопрос о их параллельном включении. Есть 4 платы, две платы включены в мост. Итого: стерео усилитель. На одну плату 2 пары транзисторов, в парах транзисторы включены паралельно - общая база и общий коллектор.
